芯片生产工艺流程12个步骤

芯片生产工艺流程12个步骤，芯片，英文为Chip；芯片组为Chipset。芯片一般是指集成电路的载体，也是集成电路经过设计、制造、封装、测试后的结果，通常是一个可以立即使用的独立的整体。

芯片生产工艺流程12个步骤:

1、硅片的来源：硅片一般是由晶棒进行切割而来，根据要求切割成硅片薄片。  
2、清洗：芯片在加工前需进行清洗，清洗设备通常为栅氧化清洗机 和氧化扩散清洗机。 
3、氧化：氧化过程就是把清洗干净并通过离心甩干的硅片板送入高温炉管内进行退火处理，炉管内温度800-1500 ℃。  
4、淀积：淀积系统就是在硅片表面形成具有良好的台阶覆盖能力、良好的接触及均匀的高质量金属薄膜的设备系统。 
5、光刻：光刻就是在硅片上涂上对紫外光敏感的化学物质，当遇紫外光时则变软。通过控制遮光物的位置得到芯片的外形。即在硅晶片涂上光致蚀剂，使得其遇紫外光就会溶解，在光刻机的曝光作用下，紫外光直射的部分被溶解，这溶解部分接着可用溶剂将其冲走。  
6、刻蚀：刻蚀就是以化学蚀刻的方法或用干法氧化法，去除氮化硅和去掉经上几道工序加工后在硅片表面因加工应力而产生的一层损伤层的过程。
7、二次清洗：二次清洗就是将加工完成的硅片需要再次经过强酸碱清洗、甩干，去除硅片板上的光刻胶。 
8、离子注入：离子注入就是将刻蚀后的芯片放入大束、中束流注入机将硼离子 （B+3） 透过 SiO2 膜注入衬底，形成 P 型阱；去除氮化硅层，掺杂磷 （P+5） 离子，形成 N 型阱。  

9、快速退火：快速退火就是从离子注入机中取出硅片放入快速退火炉中进行退火处理，去除 SiO2 层。与离子注入工艺根据需要反复循环进行。 
10、蒸镀：薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于 1um 。分真空蒸发法和溅镀法。
11、检测：检测就是进行最终全面的检验以保证产品最终达到规定的尺寸、形状、表面光洁度、平整度等技术指标。最后将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。 
12、包装：将成品用柔性材料，分隔、包裹、装箱，准备发往订货客户。

通过对芯片生产工艺的熟悉和掌握，使我们对工艺的理解更加深刻，从而使我们对工艺设备的特殊要求也有了深入的理解。但是，对于有效实施二次配工程尚需对工艺设备的需求条件清楚且深刻理解和掌握，对于工艺设备的接入条件以及界面接口形式熟悉和掌握，这样，才能在保证工程质量和安全的条件下，高效、快速的完成二次配工程。

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